Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPP65R190CFDXKSA2

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPP65R190CFDXKSA2
Описание:	HIGH POWER_LEGACY
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	CoolMOS™ CFD2
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	4.5V @ 700µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	190mOhm @ 7.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	151W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	68nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1850pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	17.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V