Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPS65R1K4C6AKMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPS65R1K4C6AKMA1
Описание:	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	CoolMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Not For New Designs
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (Max)	3.5V @ 100µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.4Ohm @ 1A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	28W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TO251-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	10.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	225pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3.2A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V