Image is for reference only , details as Specifications

IPT029N08N5ATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPT029N08N5ATMA1
Описание:	MV POWER MOS
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™ 5
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerSFN
Vgs (th) (Max)	3.8V @ 108µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.9mOhm @ 150A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	168W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-HSOF-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	87nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6500pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	52A (Ta), 169A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V