Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPT60R028G7XTMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IPT60R028G7XTMA1
Описание:	MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	CoolMOS™ G7
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerSFN
Vgs (th) (Max)	4V @ 1.44mA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	28mOhm @ 28.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	391W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-HSOF-8-2
Заряд ворот (Кг) (Макс)	123nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4820pF @ 400V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	75A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V