Image is for reference only , details as Specifications

IPW65R190CFDFKSA2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPW65R190CFDFKSA2
Описание: HIGH POWER_LEGACY
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ CFD2
Тип FET N-Channel
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-247-3
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 700µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 151W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-41
Заряд ворот (Кг) (Макс) 68nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1850pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 17.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 98 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.47 $2.42 $2.37
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDP047AN08A0-F102
ON Semiconductor
$2.46
SIHF22N65E-GE3
Vishay / Siliconix
$2.46
SPA15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
$2.46
SIHB22N60ET5-GE3
Vishay / Siliconix
$2.46
SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
$2.45