IRF1902GTRPBF
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IRF1902GTRPBF |
Описание: | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | HEXFET® |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs (th) (Max) | 700mV @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
Рассеивание мощности (Макс) | - |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 7.5nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 310pF @ 15V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 4.2A (Ta) |
На складе 75 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1