Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF1902TRPBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF1902TRPBF
Описание:	MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	700mV @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	85mOhm @ 4A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс)	7.5nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	310pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	4.2A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.7V, 4.5V