Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
IRF6602
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | IRF6602 |
| Описание: | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | HEXFET® |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Obsolete |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | DirectFET™ Isometric MQ |
| Vgs (th) (Max) | 2.3V @ 250µA |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MQ |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 18nC @ 4.5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1420pF @ 10V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 11A (Ta), 48A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V, 10V |
На складе 54 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
