Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF6602

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IRF6602
Описание: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии HEXFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Cut Tape (CT)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело DirectFET™ Isometric MQ
Vgs (th) (Max) 2.3V @ 250µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MQ
Заряд ворот (Кг) (Макс) 18nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1420pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 11A (Ta), 48A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 54 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IRF6601
Infineon Technologies
$0
IRLU7833
Infineon Technologies
$0
ZXM64P035L3
Diodes Incorporated
$0
SPD07N60S5
Infineon Technologies
$0
BSS87E6327
Infineon Technologies
$0