Image is for reference only , details as Specifications

IRF6603TR1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IRF6603TR1
Описание: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии HEXFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) +20V, -12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело DirectFET™ Isometric MT
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 250µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MT
Заряд ворот (Кг) (Макс) 72nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 6590pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 27A (Ta), 92A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 71 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2N7002_NB9G002
ON Semiconductor
$0
HAT2141H-EL-E
Renesas Electronics America
$0
ZVN4210ASTOA
Diodes Incorporated
$0
FDH5500
ON Semiconductor
$0
BS7067N06LS3G
Infineon Technologies
$0