Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF6619TR1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF6619TR1
Описание:	MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	DirectFET™ Isometric MX
Vgs (th) (Max)	2.45V @ 250µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.2mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ MX
Заряд ворот (Кг) (Макс)	57nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	5040pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	30A (Ta), 150A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V