Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF6641TR1PBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF6641TR1PBF
Описание:	MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	DirectFET™ Isometric MZ
Vgs (th) (Max)	4.9V @ 150µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ MZ
Заряд ворот (Кг) (Макс)	48nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2290pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	4.6A (Ta), 26A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V