Image is for reference only , details as Specifications

IRF6662TRPBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF6662TRPBF
Описание:	MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	DirectFET™ Isometric MZ
Vgs (th) (Max)	4.9V @ 100µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	22mOhm @ 8.2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ MZ
Заряд ворот (Кг) (Макс)	31nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1360pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	8.3A (Ta), 47A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V