IRF6668TR1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IRF6668TR1 |
Описание: | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | HEXFET® |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | DirectFET™ Isometric MZ |
Vgs (th) (Max) | 4.9V @ 100µA |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 15mOhm @ 12A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MZ |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 31nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 80V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1320pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 55A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 88 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1