IRF6691TR1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IRF6691TR1 |
Описание: | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | HEXFET® |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±12V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | DirectFET™ Isometric MT |
Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 250µA |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MT |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 71nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 6580pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 32A (Ta), 180A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V, 10V |
На складе 70 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1