IRF6706S2TRPBF
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IRF6706S2TRPBF |
Описание: | MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | HEXFET® |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | DirectFET™ Isometric S1 |
Vgs (th) (Max) | 2.35V @ 25µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 3.8mOhm @ 17A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | DIRECTFET S1 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 20nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 25V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1810pF @ 13V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 17A (Ta), 63A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V, 10V |
На складе 93 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1