Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF6711STR1PBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF6711STR1PBF
Описание:	MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (th) (Max)	2.35V @ 25µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.8mOhm @ 19A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.2W (Ta), 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ SQ
Заряд ворот (Кг) (Макс)	20nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1810pF @ 13V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	19A (Ta), 84A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V