Image is for reference only , details as Specifications

IRF6892STR1PBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF6892STR1PBF
Описание:	MOSFET N-CH 25V 28A S3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±16V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	DirectFET™ Isometric S3C
Vgs (th) (Max)	2.1V @ 50µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.7mOhm @ 28A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ S3C
Заряд ворот (Кг) (Макс)	25nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2510pF @ 13V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	28A (Ta), 125A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V