Image is for reference only , details as Specifications

IRF7831TRPBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF7831TRPBF
Описание:	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	2.35V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.6mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс)	60nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6240pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	21A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V