Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF8513PBF

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IRF8513PBF
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tube
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 1.5W, 2.4W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер базовой части IRF8513PBF
Vgs (th) (Max) 2.35V @ 25µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 8.6nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 766pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 8A, 11A

На складе 72 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTHD5903T1G
ON Semiconductor
$0
NTHD4401PT1G
ON Semiconductor
$0
BSL214NL6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BSD235C L6327
Infineon Technologies
$0
BSL215PL6327HTSA1
Infineon Technologies
$0