Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFB3206PBF

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IRFB3206PBF
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии HEXFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 150µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс) 170nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 6540pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 120A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 4537 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.03 $1.99 $1.95
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

HUF75645S3ST
ON Semiconductor
$0
STU7NM60N
STMicroelectronics
$2.01
FDB2532
ON Semiconductor
$0
FDP80N06
ON Semiconductor
$2
FDPF33N25T
ON Semiconductor
$2