Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFB4227PBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFB4227PBF
Описание:	MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	5V @ 250µA
Операционная температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	24mOhm @ 46A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	330W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс)	98nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4600pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	65A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V