Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFH5110TRPBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFH5110TRPBF
Описание:	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	4V @ 100µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	12.4mOhm @ 37A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 114W (Tc)
Пакет устройств поставщика	8-PQFN (5x6)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	72nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3152pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	11A (Ta), 63A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V