Image is for reference only , details as Specifications

IRFH5220TR2PBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFH5220TR2PBF
Описание:	MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-VQFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max)	5V @ 100µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PQFN (5x6)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	30nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1380pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3.8A (Ta), 20A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V