Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFH5302DTRPBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFH5302DTRPBF
Описание:	MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	2.35V @ 100µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.5mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PQFN (5x6) Single Die
Заряд ворот (Кг) (Макс)	55nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3635pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	29A (Ta), 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V