Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
IRFHM830TR2PBF
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | IRFHM830TR2PBF |
| Описание: | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | HEXFET® |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Obsolete |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-VQFN Exposed Pad |
| Vgs (th) (Max) | 2.35V @ 50µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (3x3) |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 31nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 2155pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 4.5V, 10V |
На складе 74 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
