Image is for reference only , details as Specifications

IRFHM8363TR2PBF

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IRFHM8363TR2PBF
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии HEXFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2.7W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Номер базовой части IRFHM8363PBF
Vgs (th) (Max) 2.35V @ 25µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Заряд ворот (Кг) (Макс) 15nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1165pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 11A

На складе 54 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MVDF1N05ER2G
ON Semiconductor
$0
AON7932
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
AO4924
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
SIZ910DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
VEC2415-TL-E
ON Semiconductor
$0