IRFHM8363TR2PBF
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | IRFHM8363TR2PBF |
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | HEXFET® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Digi-Reel® |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 2.7W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerVDFN |
Номер базовой части | IRFHM8363PBF |
Vgs (th) (Max) | 2.35V @ 25µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 15nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1165pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 11A |
На складе 54 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1