Image is for reference only , details as Specifications

IRFSL3206PBF

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IRFSL3206PBF
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии HEXFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 4V @ 150µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-262
Заряд ворот (Кг) (Макс) 170nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 6540pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 120A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 65 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.39 $1.36 $1.33
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TK56E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.38
TK9A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.38
TK14G65W5,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRFZ24STRLPBF
Vishay / Siliconix
$1.4
IRFZ24STRRPBF
Vishay / Siliconix
$1.4