Image is for reference only , details as Specifications

IRFZ34NSTRRPBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFZ34NSTRRPBF
Описание:	MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Not For New Designs
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	40mOhm @ 16A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Пакет устройств поставщика	D2PAK
Заряд ворот (Кг) (Макс)	34nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	55V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	700pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	29A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V