ISP12DP06NMXTSA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | ISP12DP06NMXTSA1 |
Описание: | MOSFET P-CH 60V SOT223-4 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | OptiMOS™ |
Тип FET | P-Channel |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-261-4, TO-261AA |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 520µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 20.2nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 790pF @ 30V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 2.8A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 55 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.38 | $0.37 | $0.36 |
Минимальный: 1