Image is for reference only , details as Specifications

ISP650P06NMXTSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	ISP650P06NMXTSA1
Описание:	MOSFET P-CH 60V SOT223-4
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	P-Channel
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max)	4V @ 1.037mA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Заряд ворот (Кг) (Макс)	39nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1600pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3.7A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V