Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIDC23D120H8X1SA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Diodes - Rectifiers - Single
Лист данных: SIDC23D120H8X1SA1
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Diodes - Rectifiers - Single
Скорость Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Серии -
Упаковки Bulk
Тип диода Standard
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Конденсация и Vr, F -
Пакет устройств поставщика Sawn on foil
Текущий - Обратная утечка - Vr 27µA @ 1200V
Напряжение - DC Обратный (Vr) (Макс) 1200V
Текущий - Средний Rectified (Io) 35A (DC)
Операционная температура - Развязка -40°C ~ 175°C
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) 1.97V @ 35A

На складе 57 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.84 $3.76 $3.69
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

UF27520070A1.T1
SMC Diode Solutions
$3.97
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor
$4.1
1N1206A
GeneSiC Semiconductor
$4.1
1N1199AR
GeneSiC Semiconductor
$4.1
GP2D008A120C
Global Power Technologies Group
$4.1