Image is for reference only , details as Specifications

SPB02N60C3ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SPB02N60C3ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 3.9V @ 80µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3Ohm @ 1.1A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 25W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 12.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 200pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.8A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 81 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPF05N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPD13N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPD09N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPD06N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPB09N03LA
Infineon Technologies
$0