Image is for reference only , details as Specifications

SPB21N10 G

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SPB21N10 G
Описание: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии SIPMOS®
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 44µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 90W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 38.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 865pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 21A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 84 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SPB18P06P
Infineon Technologies
$0
SPB160N04S2L03DTMA1
Infineon Technologies
$0
SPB160N04S203CTMA1
Infineon Technologies
$0
SPB10N10L
Infineon Technologies
$0
SPB10N10 G
Infineon Technologies
$0