SPP07N60C3HKSA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | SPP07N60C3HKSA1 |
Описание: | MOSFET N-CH 650V TO-220AB |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | CoolMOS™ |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tube |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-220-3 |
Vgs (th) (Max) | 3.9V @ 350µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 83W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-TO220-3 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 27nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 650V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 790pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 7.3A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 85 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1