Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

CSD23202W10T

Производителей: NA
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: CSD23202W10T
Описание: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NA
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии NexFET™
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) -6V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 4-UFBGA, DSBGA
Vgs (th) (Max) 900mV @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс) 1W (Ta)
Пакет устройств поставщика 4-DSBGA (1x1)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 3.8nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 12V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 512pF @ 6V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 2.2A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 1.5V, 4.5V

На складе 19050 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BUK7M8R0-40EX
Nexperia USA Inc.
$0
RS1E200GNTB
ROHM Semiconductor
$0
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia USA Inc.
$0
IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
$0
TSM040N03CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.71