CSD25211W1015
Производителей: | NA |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | CSD25211W1015 |
Описание: | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | NA |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | NexFET™ |
Тип FET | P-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | -6V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 6-UFBGA, DSBGA |
Vgs (th) (Max) | 1.1V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 33mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Рассеивание мощности (Макс) | 1W (Ta) |
Пакет устройств поставщика | 6-DSBGA (1x1.5) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 4.1nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 570pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 3.2A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 2.5V, 4.5V |
На складе 7535 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1