Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

CSD25211W1015

Производителей: NA
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: CSD25211W1015
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NA
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии NexFET™
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) -6V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-UFBGA, DSBGA
Vgs (th) (Max) 1.1V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс) 1W (Ta)
Пакет устройств поставщика 6-DSBGA (1x1.5)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 4.1nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 570pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3.2A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 2.5V, 4.5V

На складе 7535 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIR468DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
2SJ305TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.53
NTMFS4C025NT1G
ON Semiconductor
$0
SI3134KE-TP
Micro Commercial Co
$0.53
NVTR0202PLT1G
ON Semiconductor
$0