Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TPS1101DR

Производителей: NA
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TPS1101DR
Описание: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NA
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET P-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) +2V, -15V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) 1.5V @ 250µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 791mW (Ta)
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Заряд ворот (Кг) (Макс) 11.25nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 2.3A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 2.7V, 10V

На складе 68 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.94 $0.92 $0.90
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPI147N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
$0.94
TSM80N1R2CL C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.93
IPA65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
$0.93
FQPF9P25YDTU
ON Semiconductor
$0.93
IRFH4210DTRPBF
Infineon Technologies
$0