Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BUK7E1R6-30E,127

Производителей: NXP USA Inc.
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BUK7E1R6-30E,127
Описание: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NXP USA Inc.
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 4V @ 1mA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.6mOhm @ 25A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 349W (Tc)
Пакет устройств поставщика I2PAK
Заряд ворот (Кг) (Макс) 154nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 11960pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 120A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 62 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BUK754R7-60E,127
NXP USA Inc.
$0
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.
$0
BUK752R7-60E,127
NXP USA Inc.
$0
BUK7514-60E,127
NXP USA Inc.
$0
PSMN9R5-100XS,127
NXP USA Inc.
$0