Image is for reference only , details as Specifications

BUK9E3R7-60E,127

Производителей: NXP USA Inc.
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BUK9E3R7-60E,127
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NXP USA Inc.
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±10V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 2.1V @ 1mA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 293W (Tc)
Пакет устройств поставщика I2PAK
Заряд ворот (Кг) (Макс) 95nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 13490pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 120A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 5V, 10V

На складе 65 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.
$0
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.
$0
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.
$0
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.
$0
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.
$0