Image is for reference only , details as Specifications

PHD108NQ03LT,118

Производителей: NXP USA Inc.
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: PHD108NQ03LT,118
Описание: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NXP USA Inc.
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2V @ 1mA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 187W (Tc)
Пакет устройств поставщика DPAK
Заряд ворот (Кг) (Макс) 16.3nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1375pF @ 12V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 75A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 5V, 10V

На складе 68 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

PHB96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
$0
PHB55N03LTA,118
NXP USA Inc.
$0
PHB160NQ08T,118
NXP USA Inc.
$0
PHB153NQ08LT,118
NXP USA Inc.
$0
PHB112N06T,118
NXP USA Inc.
$0