Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

PHD36N03LT,118

Производителей: NXP USA Inc.
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: PHD36N03LT,118
Описание: MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NXP USA Inc.
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 17mOhm @ 25A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 57.6W (Tc)
Пакет устройств поставщика DPAK
Заряд ворот (Кг) (Макс) 18.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 690pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 43.4A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 91 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

PSMN070-200P,127
Nexperia USA Inc.
$0
2N7002F,215
Nexperia USA Inc.
$0
2N7002PT,115
NXP USA Inc.
$0
PSMN006-20K,518
Nexperia USA Inc.
$0
PHT8N06LT,135
NXP USA Inc.
$0