Image is for reference only , details as Specifications
PHN210,118
| Производителей: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | PHN210,118 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | NXP USA Inc. |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | TrenchMOS™ |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 2W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs (th) (Max) | 2.8V @ 1mA |
| Операционная температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 6nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 250pF @ 20V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | - |
На складе 83 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
