Image is for reference only , details as Specifications

PMWD19UN,518

Производителей: NXP USA Inc.
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: PMWD19UN,518
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя NXP USA Inc.
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2.3W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) 700mV @ 1mA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Пакет устройств поставщика 8-TSSOP
Заряд ворот (Кг) (Макс) 28nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1478pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 5.6A

На складе 66 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDG6302P
ON Semiconductor
$0
FDS8934A
ON Semiconductor
$0
FDG6313N
ON Semiconductor
$0
TPCF8402(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
ZXMC3A17DN8TC
Diodes Incorporated
$0