Image is for reference only , details as Specifications

PDTB113ET,215

Производителей:	Nexperia USA Inc.
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	PDTB113ET,215
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Nexperia USA Inc.
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	250mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Номер базовой части	PDTB113
Сопротивление - База (R1)	1 kOhms
Пакет устройств поставщика	TO-236AB
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	1 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	500mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	33 @ 50mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V