Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

PHD9NQ20T,118

Производителей:	Nexperia USA Inc.
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	PHD9NQ20T,118
Описание:	MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Nexperia USA Inc.
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	4V @ 1mA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	88W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DPAK
Заряд ворот (Кг) (Макс)	24nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	959pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	8.7A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V