PHKD3NQ10T,518
Производителей: | Nexperia USA Inc. |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | PHKD3NQ10T,518 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Nexperia USA Inc. |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | TrenchMOS™ |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 2W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 1mA |
Операционная температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 10V |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 21nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 100V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 633pF @ 20V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 3A |
На складе 59 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1