Image is for reference only , details as Specifications

PHKD3NQ10T,518

Производителей: Nexperia USA Inc.
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: PHKD3NQ10T,518
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Nexperia USA Inc.
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) 4V @ 1mA
Операционная температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 90mOhm @ 1.5A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 21nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 633pF @ 20V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3A

На складе 59 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTJD3158CT2G
ON Semiconductor
$0
BSO330N02KGFUMA1
Infineon Technologies
$0
BSL315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BSL306NL6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BSL205NL6327HTSA1
Infineon Technologies
$0