Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

2SC3646S-P-TD-E

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных:	2SC3646S-P-TD-E
Описание:	TRANS NPN 100V 1A
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	500mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-243AA
Тип транзистора	NPN
Операционная температура	-
Частота - Переход	120MHz
Пакет устройств поставщика	PCP
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	400mV @ 40mA, 400mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	1A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	140 @ 100mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	100V