Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BD677ASTU

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Лист данных:	BD677ASTU
Описание:	TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Серии	-
Упаковки	Tube
Статус части	Active
Мощность - Макс	40W
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-225AA, TO-126-3
Тип транзистора	NPN - Darlington
Номер базовой части	BD677
Операционная температура	150°C (TJ)
Частота - Переход	-
Пакет устройств поставщика	TO-126-3
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	4A
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500µA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	750 @ 2A, 3V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	60V