Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EMF5XV6T5G

Производителей:	ON Semiconductor
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	EMF5XV6T5G
Описание:	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	ON Semiconductor
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	500mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-563, SOT-666
Тип транзистора	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Номер базовой части	EMF
Сопротивление - База (R1)	47kOhms
Частота - Переход	-
Пакет устройств поставщика	SOT-563
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA, 500mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V, 12V