Image is for reference only , details as Specifications

FDB3632_SB82115

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: FDB3632_SB82115
Описание: INTEGRATED CIRCUIT
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии PowerTrench®
Тип FET N-Channel
Упаковки Bulk
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 310W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 110nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 6000pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 12A (Ta), 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 74 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FCPF11N65_G
ON Semiconductor
$0
FCPF11N60_G
ON Semiconductor
$0
FCP20N60_G
ON Semiconductor
$0
FQPF13N50C_F105
ON Semiconductor
$0
FQPF10N60C_F105
ON Semiconductor
$0